科技时报--国家存储器基地项目在武汉开工 总投资240亿美元

原标题：国家存储器基地项目在武汉开工

新华社武汉1月2日电(记者李思远、陈俊)总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元买的房子没房产证拆迁怎么办理，实现我国集成电路存储芯片产业范围化发展“零”的突破。

此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目1期计划2018年建成投产，2020年完玉成部项目，总产能将到达30万片/月，年产值将超过100亿美元。

据介绍，国家存储器基地项目由紫光团体联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口如果被强拆怎么处理，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于1体，建成后，还将带动设计、封装、制造、利用等芯片产业相干环节的发展。

存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业范围经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品房子没签字被强拆怎么处理。